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科技日报北京3月22日电 （记者张梦然）美国明尼苏达双城年夜学研究人员和国度尺度与手艺研究院（NIST）的结合团队开辟了(le)一种(zhong)制造自旋(xuan)电子器件(jian)的冲破性工艺，该工艺有可能成(cheng)为半导体(ti)芯片新的行业尺度。半导体芯片是计较机、智妙手机和很(hen)多(duo)其他电子产物的焦点部件，新工艺将(jiang)带来更快(kuai)、更高效的自旋电子装备，而且使这些装备比以往更小。研究论文颁发在比来的《进步前辈功能材料》上。 自旋电子学对构建(jian)具有新功能的(de)微(wei)电子(zi)装备来讲很(hen)是主(zhu)要。半导体行业不竭测验考试(shi)开(kai)辟愈来愈小的芯片，最年夜限度地提高电子装备的能效、计较速度和数据存储容量。自旋电子装备操纵电子(zi)的自旋而不是(shi)电荷来存储数据(ju)，为传统的基于晶体管的芯片供给了一种有前程且更有用的(de)替换(huan)方案。这些材料还具有非易掉性的潜力，这意味着它们需要更少的能量，而且即便在移(yi)除电源后也可存储内存和履行计较。 十多年来，自旋(xuan)电子材料已成功集成到半导体芯片中(zhong)，但作为行业尺度的自旋电子材料钴(gu)铁硼的可(ke)扩大性已到达极限。今朝，工程师(shi)没法在不落空数据存储能(neng)力的环境下制造小于20纳米的器件。 明尼苏达年夜(ye)学研究人员经由过程利用铁钯材料替换钴铁硼，可将(jiang)材料缩小到5纳米的尺寸，从而降服了这一困难(nan)。并(bing)且，研究人员初次可以或许利用撑持8英寸晶圆的多室超高真空溅射系统在硅晶圆上发展铁(tie)钯。 研究(jiu)人员暗示，这项功效活着界上初次注解，在半导体行(xing)业兼容的基板上发展这类材料可缩(suo)小到小于5纳米。 【编纂:李岩】
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